2SB1018O Todos los transistores

 

2SB1018O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1018O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SB1018O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:199K  toshiba
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2SB1018O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1018 DESCRIPTION With TO-220F package High collector current Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1411 APPLICATIONS Power amplifier applications High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 Base

 7.4. Size:213K  inchange semiconductor
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2SB1018O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1018DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max)@I = -4ACE(sat) CHigh Current Capability- I = -7ACComplement to Type 2SD1411Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applications.Power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

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History: BCAP77 | LBC558CP | 2N6352 | CMKT3920 | BDY47 | 2SC2166 | 2SC315

 

 
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