Справочник транзисторов. 2SB1018O

 

Биполярный транзистор 2SB1018O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1018O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SB1018O

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1018O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:199K  toshiba
2sb1018.pdfpdf_icon

2SB1018O

 7.2. Size:233K  toshiba
2sb1018a.pdfpdf_icon

2SB1018O

 7.3. Size:208K  jmnic
2sb1018.pdfpdf_icon

2SB1018O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1018 DESCRIPTION With TO-220F package High collector current Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1411 APPLICATIONS Power amplifier applications High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 Base

 7.4. Size:213K  inchange semiconductor
2sb1018.pdfpdf_icon

2SB1018O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1018DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max)@I = -4ACE(sat) CHigh Current Capability- I = -7ACComplement to Type 2SD1411Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applications.Power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие транзисторы... 2SB1016O , 2SB1016R , 2SB1016Y , 2SB1017 , 2SB1017O , 2SB1017R , 2SB1017Y , 2SB1018 , 2SD718 , 2SB1018Y , 2SB1019 , 2SB1019O , 2SB1019Y , 2SB102 , 2SB1020 , 2SB1021 , 2SB1022 .

History: GET8 | 2N4277 | MP2218A | ECG2328

 

 
Back to Top

 


 
.