2SB1018O - описание и поиск аналогов

 

2SB1018O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1018O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB1018O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1018O даташит

 7.1. Size:199K  toshiba
 2sb1018.pdf pdf_icon

2SB1018O

 7.2. Size:233K  toshiba
 2sb1018a.pdf pdf_icon

2SB1018O

 7.3. Size:208K  jmnic
 2sb1018.pdf pdf_icon

2SB1018O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1018 DESCRIPTION With TO-220F package High collector current Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1411 APPLICATIONS Power amplifier applications High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Base

 7.4. Size:213K  inchange semiconductor
 2sb1018.pdf pdf_icon

2SB1018O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1018 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max)@I = -4A CE(sat) C High Current Capability- I = -7A C Complement to Type 2SD1411 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1016O, 2SB1016R, 2SB1016Y, 2SB1017, 2SB1017O, 2SB1017R, 2SB1017Y, 2SB1018, BD140, 2SB1018Y, 2SB1019, 2SB1019O, 2SB1019Y, 2SB102, 2SB1020, 2SB1021, 2SB1022

 

 

 

 

↑ Back to Top
.