2SB1045 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB1045
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SB1045
2SB1045 Datasheet (PDF)
2sb1048.pdf
2SB1048Silicon PNP Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineUPAK12 2,43141. Base2. Collector3. Emitter4. Collector (Flange)32SB1048Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 1 A
2sb1048.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1048SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=-1A Collector Emitter Voltage VCEO=-60V High gain amplifier0.42 0.10.46 0.1C1.Base2.CollectorB3.EmitterE Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage V
2sb1046.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1046SOT-89Unit:mm Features1.70 0.1 Collector Current Capability IC=-50mA Collector Emitter Voltage VCEO=-160V Complementary to 2SD14640.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -180 Collector - Emitter Voltage V
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History: 2SB1186A
History: 2SB1186A
Liste
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