Биполярный транзистор 2SB1045 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1045
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT89
2SB1045 Datasheet (PDF)
2sb1048.pdf
2SB1048Silicon PNP Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineUPAK12 2,43141. Base2. Collector3. Emitter4. Collector (Flange)32SB1048Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 1 A
2sb1048.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1048SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=-1A Collector Emitter Voltage VCEO=-60V High gain amplifier0.42 0.10.46 0.1C1.Base2.CollectorB3.EmitterE Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage V
2sb1046.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1046SOT-89Unit:mm Features1.70 0.1 Collector Current Capability IC=-50mA Collector Emitter Voltage VCEO=-160V Complementary to 2SD14640.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -180 Collector - Emitter Voltage V
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050