2SB1134R Todos los transistores

 

2SB1134R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1134R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 160 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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2SB1134R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:123K  sanyo
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2SB1134R

 7.2. Size:217K  jmnic
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2SB1134R

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1134 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1667 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Relay drivers,high-speed inverters and other general high-current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAb

 7.3. Size:214K  inchange semiconductor
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2SB1134R

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1134DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.)@ I = -3ACE(sat) CComplement to Type 2SD1667Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers, high-speed inverters, and othergenera

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