2SB1134R - описание и поиск аналогов

 

2SB1134R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1134R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 160 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SB1134R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1134R даташит

 7.1. Size:123K  sanyo
 2sb1134.pdf pdf_icon

2SB1134R

 7.2. Size:217K  jmnic
 2sb1134.pdf pdf_icon

2SB1134R

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1134 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1667 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Relay drivers,high-speed inverters and other general high-current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Emitter Ab

 7.3. Size:214K  inchange semiconductor
 2sb1134.pdf pdf_icon

2SB1134R

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1134 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max.)@ I = -3A CE(sat) C Complement to Type 2SD1667 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers, high-speed inverters, and other genera

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1132Q, 2SB1132R, 2SB1133, 2SB1133Q, 2SB1133R, 2SB1133S, 2SB1134, 2SB1134Q, C1815, 2SB1134S, 2SB1135, 2SB1135Q, 2SB1135R, 2SB1135S, 2SB1136, 2SB1136Q, 2SB1136R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.