2SB1135Q Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB1135Q
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: TO220F
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2SB1135Q datasheet
2sb1135.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1135 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1668 Low collector saturation voltage Wide ASO APPLICATIONS Relay drivers High speed inverters;converters General high current switching application PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and
2sb1135.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1135 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max.)@ I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD1668 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers, high-speed inverters, and other genera
Otros transistores... 2SB1133Q , 2SB1133R , 2SB1133S , 2SB1134 , 2SB1134Q , 2SB1134R , 2SB1134S , 2SB1135 , BC548 , 2SB1135R , 2SB1135S , 2SB1136 , 2SB1136Q , 2SB1136R , 2SB1136S , 2SB1137 , 2SB114 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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