Справочник транзисторов. 2SB1135Q

 

Биполярный транзистор 2SB1135Q Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1135Q
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO220F
 

 Аналог (замена) для 2SB1135Q

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1135Q Datasheet (PDF)

 7.1. Size:99K  sanyo
 2sb1135.pdf pdf_icon

2SB1135Q

 7.2. Size:212K  jmnic
 2sb1135.pdf pdf_icon

2SB1135Q

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1135 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1668 Low collector saturation voltage Wide ASO APPLICATIONS Relay drivers High speed inverters;converters General high current switching application PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and

 7.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sb1135.pdf pdf_icon

2SB1135Q

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1135DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD1668Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers, high-speed inverters, and othergenera

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB1133Q , 2SB1133R , 2SB1133S , 2SB1134 , 2SB1134Q , 2SB1134R , 2SB1134S , 2SB1135 , 2N3904 , 2SB1135R , 2SB1135S , 2SB1136 , 2SB1136Q , 2SB1136R , 2SB1136S , 2SB1137 , 2SB114 .

 

 
Back to Top

 


 
.