2N1495 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1495
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1495
2N1495 Datasheet (PDF)
2n1487 2n1488 2n1489 2n1490.pdf
TECHNICAL DATA NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/208 Devices Qualified Level 2N1487 2N1488 2N1489 2N1490 MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N1487 2N1488 Unit 2N1498 2N1490 Collector-Emitter Voltage 40 55 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 100 Vdc VCBO Collector-Emitter Voltage 60 100 Vdc VCEX Emitter-Base Voltage 10 Vdc VEBO Base Current
Otros transistores... 2N148A , 2N149 , 2N1490 , 2N1491 , 2N1492 , 2N1493 , 2N1494 , 2N1494A , 8050 , 2N1495A , 2N1496 , 2N1497 , 2N1499 , 2N1499A , 2N1499B , 2N149A , 2N150 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050