2SB1165Q Todos los transistores

 

2SB1165Q Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB1165Q

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 130 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 60 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO126

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2SB1165Q datasheet

 7.1. Size:124K  sanyo
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2SB1165Q

 7.2. Size:157K  jmnic
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2SB1165Q

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1165 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD1722 Low collector saturation voltage Fast switching time APPLICATIONS For use in relay drivers,high-speed inverters,converters. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings

 7.3. Size:218K  inchange semiconductor
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2SB1165Q

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1165 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.55V(Max)@I = -3A CE(sat) C High f T Good Linearity of h FE Fast switching time Complement to Type 2SD1722 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers,high-speed inverters and converters applica

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History: 2SA1182Y | 3DG2839 | BD142-7 | 3DG2712

 

 

 

 

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