Биполярный транзистор 2SB1165Q - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1165Q
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO126
2SB1165Q Datasheet (PDF)
2sb1165.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1165 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD1722 Low collector saturation voltage Fast switching time APPLICATIONS For use in relay drivers,high-speed inverters,converters. PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings
2sb1165.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1165DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.55V(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh fTGood Linearity of hFEFast switching timeComplement to Type 2SD1722Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers,high-speed inverters andconverters applica
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050