2SB1558A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB1558A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 170 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO264

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2SB1558A datasheet

 7.1. Size:184K  toshiba
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2SB1558A

 7.2. Size:155K  jmnic
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2SB1558A

JMnic Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors 2SB1558 DESCRIPTION With TO-3PI package Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS For power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PI) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER COND

 7.3. Size:237K  inchange semiconductor
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2SB1558A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1558 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 5000(Min)@I = -7A FE C Low-Collector Saturation Voltage- V = -2.5V(Max.)@I = -7A CE(sat) C Complement to Type 2SD2387 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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