2E715B IGBT. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: 2E715B

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 100

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 1000

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.5

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20

Maximum Collector Current |Ic|, A: 25

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 125

Rise Time, nS: 250

Package: KT9M

2E715B Transistor Equivalent Substitute - IGBT Cross-Reference Search

2E715B Datasheet (PDF)

1.1. 2e715b.pdf Size:249K _igbt_a

2Е715А, Б МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ КОМБИНИРОВАННЫЙ СИТ-МОП ТРАНЗИСТОР (КСМТ) С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ Применение: Электропривод, силовые преобразователи электроэнергии, вторичные источни�

5.1. 2e715a.pdf Size:249K _igbt_a

2Е715А, Б МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ КОМБИНИРОВАННЫЙ СИТ-МОП ТРАНЗИСТОР (КСМТ) С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ Применение: Электропривод, силовые преобразователи электроэнергии, вторичные источни�

Datasheet: OM6526SA , STGB7H60DF , STGP7H60DF , IRG8B08N120KD , IRG8P08N120KD , IRGB4615D , IRGS4615D , 2E715A , G20N60B3D , NTE3310 , KE703A , IKD06N60RA , IRGB4715D , IRGS4715D , IRGS4064D , MG1215H-XBN2MM , IKP15N65F5 .

LIST

Last Update

IGBT: MBQ50T65FESC | GT40RR21 | MBQ40T120FES | GT20D201 | MGD633 | IKW30N65WR5 | 2PG001 | FGT612 | FGT412 | FGT313 |