2E715B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: 2E715B

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25

Максимальная температура перехода (Tj): 125

Время нарастания: 250

Корпус: KT9M

Аналог (замена) для 2E715B

2E715B Datasheet (PDF)

1.1. 2e715b.pdf Size:249K _igbt_a

2Е715А, Б МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ КОМБИНИРОВАННЫЙ СИТ-МОП ТРАНЗИСТОР (КСМТ) С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ Применение: Электропривод, силовые преобразователи электроэнергии, вторичные источни�

5.1. 2e715a.pdf Size:249K _igbt_a

2Е715А, Б МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ КОМБИНИРОВАННЫЙ СИТ-МОП ТРАНЗИСТОР (КСМТ) С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ Применение: Электропривод, силовые преобразователи электроэнергии, вторичные источни�

Другие IGBT... OM6526SA , STGB7H60DF , STGP7H60DF , IRG8B08N120KD , IRG8P08N120KD , IRGB4615D , IRGS4615D , 2E715A , G20N60B3D , NTE3310 , KE703A , IKD06N60RA , IRGB4715D , IRGS4715D , IRGS4064D , MG1215H-XBN2MM , IKP15N65F5 .