All IGBT. FD900R12IP4D Datasheet

 

FD900R12IP4D IGBT. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: FD900R12IP4D

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 5100

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 1200

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.7

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20

Maximum Collector Current |Ic|, A: 900

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 140

Package: MODULE

FD900R12IP4D Transistor Equivalent Substitute - IGBT Cross-Reference Search

FD900R12IP4D Datasheet (PDF)

1.1. fd900r12ip4d.pdf Size:1968K _igbt_a

FD900R12IP4D
FD900R12IP4D

技术信息 / Technical Information IGBT-模块 FD900R12IP4D IGBT-modules PrimePACK™2 模块 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和增大的第四代发射极控制二极管 PrimePACK™2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode 初步数据 / Preliminary Data V = 1200V CES I = 900A / I = 1800A C nom CRM 典型应用 Typical Applications • 斩

1.2. fd900r12ip4dv.pdf Size:1964K _igbt_a

FD900R12IP4D
FD900R12IP4D

テクニカルインフォメーション / Technical Information IGBT-モジュール FD900R12IP4DV IGBT-modules PrimePACK™2 モジュール トレンチ/フィールドストップ IGBT4 and エミッターコントロール4 diode内蔵 PrimePACK™2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode 暫定データ / Preliminary Data V = 1200V CES I = 900A /

Datasheet: FD600R17KF6C_B2 , FD650R17IE4 , FD650R17IE4D_B2 , FD800R17KE3_B2 , FD800R17KF6C_B2 , FD800R33KF2C , FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , GT60M301 , FD900R12IP4DV , FD-DF80R12W1H3_B52 , FF1000R17IE4 , FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FF200R12KE4 , FF200R12KS4 , FF200R12KT3 .

 


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