FD900R12IP4D - аналоги и описание IGBT

 

FD900R12IP4D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD900R12IP4D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD900R12IP4D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD900R12IP4D даташит

 ..1. Size:1767K  infineon
 fd900r12ip4d.pdf pdf_icon

FD900R12IP4D

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD900R12IP4D IGBT-modules PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr erer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 900A / I = 1800A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications

 0.1. Size:1765K  infineon
 fd900r12ip4dv.pdf pdf_icon

FD900R12IP4D

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD900R12IP4DV IGBT-modules PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr erer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 900A / I = 1800A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications

Другие IGBT... FD600R17KF6C_B2 , FD650R17IE4 , FD650R17IE4D_B2 , FD800R17KE3_B2 , FD800R17KF6C_B2 , FD800R33KF2C , FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , SGT60U65FD1PT , FD900R12IP4DV , FD-DF80R12W1H3_B52 , FF1000R17IE4 , FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FF200R12KE4 , FF200R12KS4 , FF200R12KT3 .

History: MMG50HB120H6HN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.