All MOSFET. CM10N60AZ Datasheet

 

CM10N60AZ MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: CM10N60AZ

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 155 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Drain Current |Id|: 10 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.75 Ohm

Package: TO220A

CM10N60AZ Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search

 

CM10N60AZ Datasheet (PDF)

1.1. cm10n60az.pdf Size:124K _jdsemi

CM10N60AZ
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R CM10N60AZ 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小

2.1. cm10n60afz.pdf Size:124K _jdsemi

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R C1N0F M06AZ 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2 .主要特点 1 开关速度快 2 通态电阻小,输入电

 3.1. cm10n60f.pdf Size:127K _jdsemi

CM10N60AZ
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R CM10N60F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 1 通态电阻小,输入电容小

3.2. cm10n60.pdf Size:124K _jdsemi

CM10N60AZ
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R CM10N60 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小 3

Datasheet: XP151A12A2MR , XP151A13A0MR , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , 2N5485 , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A .

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