Справочник MOSFET. CM10N60AZ

 

CM10N60AZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CM10N60AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220A

 Аналог (замена) для CM10N60AZ

 

 

CM10N60AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  jdsemi
 cm10n60az.pdf

CM10N60AZ CM10N60AZ

RCM10N60AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2

 6.1. Size:124K  jdsemi
 cm10n60afz.pdf

CM10N60AZ

RC1N0FM06AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE21 2

 7.1. Size:127K  jdsemi
 cm10n60f.pdf

CM10N60AZ

RCM10N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 1

 7.2. Size:124K  jdsemi
 cm10n60.pdf

CM10N60AZ CM10N60AZ

RCM10N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 3

Другие MOSFET... XP151A12A2MR , XP151A13A0MR , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , IRFB3306 , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A .

 

 
Back to Top