All MOSFET. CSY9140C Datasheet

 

CSY9140C MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: CSY9140C

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: P -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 60 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 12 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.21 Ohm

Package: TO-254

CSY9140C Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search

CSY9140C Datasheet (PDF)

1.1. csy9140c.pdf Size:64K _update_mosfet

CSY9140C

CSY9140C型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -12 A 极 ID (VGS=-10V,TC=100℃) -8.0 A 限 IDM -48 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID

3.1. csy9140.pdf Size:64K _update_mosfet

CSY9140C

CSY9140型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 60 W 线性降低系数 0.48 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -13 A 极 ID (VGS=-10V,TC=100℃) -8.2 A 限 IDM -52 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.1 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID=

 5.1. csy9130.pdf Size:66K _update_mosfet

CSY9140C

CSY9130型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 45 W 线性降低系数 0.36 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -9.3 A 极 ID (VGS=-10V,TC=100℃) -5.8 A 限 IDM -37 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 2.8 ℃/W 特 RthJA 80 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-1.0mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID

Datasheet: PT8205 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , IRFBC40 , AO3407 , PT4435 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 .

 
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