Скачать даташит для ixgh32n90b2d1_ixgt32n90b2d1:

Advance Technical Information VCES = 900 V IXGH 32N90B2D1 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 64 A IXGT 32N90B2D1 with Fast Diode VCE(sat) = 2.7 V tfi typ = 150 ns B2-Class High Speed IGBTs with Ultrafast Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 900 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E TO-268 (IXGT) IC25 TC = 25 C 64 A IC110 TC = 110 C 32 A ICM TC = 25 C, 1 ms 200 A G C (TAB) E SSOA VGE= 15 V, TVJ = 125 C, RG = 10 ICM = 64 A (RBSOA) Clamped inductive load VCL

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 ixgh32n90b2d1 ixgt32n90b2d1.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 ixgh32n90b2d1 ixgt32n90b2d1.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 ixgh32n90b2d1 ixgt32n90b2d1.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы