Справочник транзисторов

 

Скачать даташит для 3dd13007n36f:

3dd13007n36f3dd13007n36f

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistor 3DD13007N36F TRANSISTOR (NPN) TO-220F FEATURES Power switching applications 1. BASE 1 2 3 2. COLLECTOR 3. EMITTER 13007N=Device code Equivalent Circuit Solid dot=Green moldinn compound device, if none,the normal device 13007N 36F=Code 36F MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuous 8 A PC Collector Power Dissipation 2 W Operation Junction and TJ,Tstg -55 150 Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Ma yp yp M Collector-base breakdown voltage

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 3dd13007n36f.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 3dd13007n36f.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 3dd13007n36f.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 

 


 
↑ Back to Top
.