Справочник транзисторов

 

Скачать даташит для mmbt5551:

mmbt5551mmbt5551

MMBT5551 GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN Silicon FEATURES NPN Silicon Epitaxial planar Transistor For Switching And Amplifier Applications Collector Current IC=600mA C MECHANICAL DATA E Available in SOT-23 Package Solderability MIL-STD-202, Method 208 Full RoHS Compliance B ORDERING INFORMATION PART NUMBER PACKAGE SHIPPING MARKING CODE G1 MMBT5551 -T3 SOT-23 Tape Reel Notes 1. none is for Lead Free package; G is for Halogen Free package. THERMAL DATA PARAMETER SYMBOL VALUES UNIT R Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 417 C/W JA STAD_A PAGE.1 MMBT5551 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 4) TA = 25 C, unless otherwise specified. PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 160 V Collector-Base Voltage VCBO 180 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 600 m

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 mmbt5551.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 mmbt5551.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 mmbt5551.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 

 


 
↑ Back to Top
.