Справочник транзисторов.

 

Скачать даташит для 2sc3357a_2sc3357b_2sc3357c_2sc3357d_2sc3357e:

2sc3357a_2sc3357b_2sc3357c_2sc3357d_2sc3357e2sc3357a_2sc3357b_2sc3357c_2sc3357d_2sc3357e

NPN SILICON RF TRANSISTOR Feature High gain:S21e2 TYP. Value is 10dB @ VCE=10VIC=20mAf=1GHz Low noise: NF TYP. Value is 1.7dB @ VCE=10VIC=7mAf=1GHz fT (TYP.) : TYP. Value is 6.5GHz @ VCE=10VIC=20mAf=1GHz PIN DEFINITION: 1 Collector 3Base 2 Emitter SOT-89 Absolute Maximum Ratings TA=25 Unless Otherwise noted PARAMETER SYMBLE MAXIMUM VALUE UNIT Collector-base breakdown voltage VCBO 20 V Collector-emitter breakdown voltage VCEO 12 V Emitter-base breakdown voltage VEBO 3 V Collector current IC 100 mA *Collector Power Dissipation *PD 1.2 W Junction Temperature Tj 150 Storage Temperature Tstg -65 ~ +150 *With heat dissipation panel hFE Classification Classification A B C D E Marking RH RF RE hFE 60~100 90~140 130~180 170~250 250~300 1 of 3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 unle

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 2sc3357a 2sc3357b 2sc3357c 2sc3357d 2sc3357e.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 2sc3357a 2sc3357b 2sc3357c 2sc3357d 2sc3357e.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 2sc3357a 2sc3357b 2sc3357c 2sc3357d 2sc3357e.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 
Back to Top

 


 
.