Справочник транзисторов.

 

Скачать даташит для f3l30r06w1e3_b11:

f3l30r06w1e3_b11f3l30r06w1e3_b11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L30R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCV = 600VCESI = 30A / I = 60AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar Applications USV-Systeme UPS SystemsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design Low inductive design Niedrige Schaltverluste Low Switching Losses Niedriges V Low VCEsat CEsatMechanische Eigenschaften Mechanical Features Al O Substrat mit kleinem thermischen Al O Substrate with Low Thermal Resistance2 3 2 3Widerstand Kompaktes Design Compact design

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 f3l30r06w1e3 b11.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 f3l30r06w1e3 b11.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 f3l30r06w1e3 b11.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 
Back to Top

 


 
.