Скачать даташит для gt52n10t:

GOFORDGT52N10TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10T uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 gt52n10t.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 gt52n10t.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 gt52n10t.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы