Справочник IGBT. SKM195GB063DN

 

SKM195GB063DN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM195GB063DN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 250 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1250 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM195GB063DN

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM195GB063DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  semikron
 skm195gal063dn skm195gar063dn skm195gb063dn.pdf pdf_icon

SKM195GB063DN

 4.1. Size:137K  semikron
 skm195gal062d skm195gb062d.pdf pdf_icon

SKM195GB063DN

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesPT-IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 600 VVCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 DIC Tcase = 25/60 C 230 / 195 ASKM 195 GAL 062 D 6)ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 700 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fcl

 4.2. Size:797K  semikron
 skm195gb066d.pdf pdf_icon

SKM195GB063DN

 6.1. Size:790K  semikron
 skm195gb126d.pdf pdf_icon

SKM195GB063DN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D , SKM195GAL062D , SKM195GAL063DN , SKM195GAL124DN , SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , RJP63K2DPP-M0 , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , SKM200GAR123D , SKM200GAR173D , SKM200GAX173D , SKM200GAY173D .

History: BLQG50T65FDLA-F | BLG60T65FDL-F

 

 
Back to Top

 


 
.