Справочник IGBT. SKM300GA173D

 

SKM300GA173D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM300GA173D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2500 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM300GA173D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1308K  semikron
skm300ga173d.pdfpdf_icon

SKM300GA173D

SEMITRANS MAbsolute Maximum Ratings ValuesIGBT ModulesSymbol Conditions 1) UnitsV 1700 VCESSKM 300 GA 173 DV R = 20 k 1700 VCGR GEI T = 25/80 C 300 / 200 AC caseI T = 25/80 C; t = 1 ms 600 / 400 ACM case pV 20 VGESP per IGBT, Tcase = 25 C 1750 WtotTj, (Tstg) 40 . . .+150 (125) CVisol AC, 1 min. 4000 Vhumidity DIN 40 040 Class Fclimate

 5.1. Size:418K  semikron
skm300ga12v.pdfpdf_icon

SKM300GA173D

SKM300GA12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 420 ATj = 175 CTc =80C 319 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GA12VTc =80C 264 AIFnom

 5.2. Size:625K  semikron
skm300ga12e4.pdfpdf_icon

SKM300GA173D

SKM300GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 422 ATj = 175 CTc =80C 324 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GA12E4Tc =80

 5.3. Size:624K  semikron
skm300ga12t4.pdfpdf_icon

SKM300GA173D

SKM300GA12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 422 ATj = 175 CTc =80C 324 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GA12T4T

Другие IGBT... SKM200GB123D , SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S , FGH50N6S2D , SKM22GD123D , SKM300GA123D , IHW20N120R3 , SKM300GAL063D , SKM300GAL123D , SKM300GAR063D , SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , SKM300GB063D , SKM300GB123D .

History: CT20VML-8 | IXDH30N120AU1 | IXXP50N60B3

 

 
Back to Top

 


 
.