SKM300GB063D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKM300GB063D
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1350 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 720 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM300GB063D
SKM300GB063D Datasheet (PDF)
skm300gb12v.pdf
SKM300GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 420 ATj = 175 CTc =80C 319 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 3tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GB12VTc =80C 264 AIFnom
skm300gb12e4.pdf
SKM300GB12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 422 ATj = 175 CTc =80C 324 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GB12E4Tc =80C 264 A
skm300gb12t4.pdf
SKM300GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 422 ATj = 175 CTc =80C 324 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GB12T4Tc =80C
skm300gbd12t4.pdf
SKM300GBD12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 422 ATj = 175 CTc =80C 324 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 3tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 56 ATj = 175 CSKM300GBD12T4
Другие IGBT... SKM300GA123D , SKM300GA173D , SKM300GAL063D , SKM300GAL123D , SKM300GAR063D , SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , FGH60N60SFD , SKM300GB123D , SKM300GB124D , SKM300GB174D , SKM400GA062D , SKM400GA123D , SKM400GA124D , SKM400GA173D , SKM400GA174D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2