SKM300GB123D - аналоги и описание IGBT

 

SKM300GB123D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM300GB123D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1660 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2500 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM300GB123D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM300GB123D даташит

 ..1. Size:653K  semikron
 skm300gb123d.pdf pdf_icon

SKM300GB123D

 4.1. Size:606K  semikron
 skm300gb126d.pdf pdf_icon

SKM300GB123D

 4.2. Size:732K  semikron
 skm300gb124d.pdf pdf_icon

SKM300GB123D

 4.3. Size:436K  semikron
 skm300gb12v.pdf pdf_icon

SKM300GB123D

SKM300GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 420 A Tj = 175 C Tc =80 C 319 A ICnom 300 A ICRM ICRM = 3xICnom 900 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 353 A Tj = 175 C SKM300GB12V Tc =80 C 264 A IFnom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM300GA173D , SKM300GAL063D , SKM300GAL123D , SKM300GAR063D , SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , SKM300GB063D , SGT60N60FD1P7 , SKM300GB124D , SKM300GB174D , SKM400GA062D , SKM400GA123D , SKM400GA124D , SKM400GA173D , SKM400GA174D , SKM400GAL062D .

History: FGY75T120SQDN | APT75GT120JU2 | IXSH50N60B | SKM200GB174D | IXSK30N60CD1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.