Справочник IGBT. SKM300GB123D

 

SKM300GB123D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM300GB123D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1660 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2500 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2000 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM300GB123D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM300GB123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:653K  semikron
 skm300gb123d.pdf pdf_icon

SKM300GB123D

 4.1. Size:606K  semikron
 skm300gb126d.pdf pdf_icon

SKM300GB123D

 4.2. Size:732K  semikron
 skm300gb124d.pdf pdf_icon

SKM300GB123D

 4.3. Size:436K  semikron
 skm300gb12v.pdf pdf_icon

SKM300GB123D

SKM300GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 420 ATj = 175 CTc =80C 319 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 3tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GB12VTc =80C 264 AIFnom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM300GA173D , SKM300GAL063D , SKM300GAL123D , SKM300GAR063D , SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , SKM300GB063D , IRGP4086 , SKM300GB124D , SKM300GB174D , SKM400GA062D , SKM400GA123D , SKM400GA124D , SKM400GA173D , SKM400GA174D , SKM400GAL062D .

 

 
Back to Top

 


 
.