SKM400GB123D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKM400GB123D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 115 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3300 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM400GB123D
SKM400GB123D Datasheet (PDF)
skm400gb12t4.pdf

SKM400GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 618 ATj = 175 CTc =80C 475 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GB12T4Tc =80C
Другие IGBT... SKM400GA124D , SKM400GA173D , SKM400GA174D , SKM400GAL062D , SKM400GAL124D , SKM400GAR062D , SKM400GAR124D , SKM400GB062D , IHW20N135R5 , SKM400GB124D , SKM40GD123D , SKM40GD124D , SKM40GDL123D , SKM500GA123D , SKM500GA123S , SKM500GA124D , SKM500GA174D .
History: IGC99T120T8RQ | SKM400GA123D | IKW50N65F5A | F3L400R07PE4_B26 | F3L300R12ME4_B22 | MMG200DR060DE | STGP30H60DF
History: IGC99T120T8RQ | SKM400GA123D | IKW50N65F5A | F3L400R07PE4_B26 | F3L300R12ME4_B22 | MMG200DR060DE | STGP30H60DF



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110