Справочник IGBT. SKM400GB123D

 

SKM400GB123D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM400GB123D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 115 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3300 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM400GB123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  semikron
 skm400gb123d.pdf pdf_icon

SKM400GB123D

 4.1. Size:379K  semikron
 skm400gb12t4.pdf pdf_icon

SKM400GB123D

SKM400GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 618 ATj = 175 CTc =80C 475 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GB12T4Tc =80C

 4.2. Size:772K  semikron
 skm400gb125d.pdf pdf_icon

SKM400GB123D

 4.3. Size:743K  semikron
 skm400gal124d skm400gar124d skm400gb124d.pdf pdf_icon

SKM400GB123D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM400GA124D , SKM400GA173D , SKM400GA174D , SKM400GAL062D , SKM400GAL124D , SKM400GAR062D , SKM400GAR124D , SKM400GB062D , RJH3047 , SKM400GB124D , SKM40GD123D , SKM40GD124D , SKM40GDL123D , SKM500GA123D , SKM500GA123S , SKM500GA124D , SKM500GA174D .

History: IXGH40N60A | DM2G150SH6NE | MMG200D120B6UC | CM50YE13-12H | CM100RL-24NF | CM600DXL-24S | IXBH42N300HV

 

 
Back to Top

 


 
.