SKM75GB173D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM75GB173D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 640 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM75GB173D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM75GB173D даташит
skm75gb12t4.pdf
SKM75GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 115 A Tj = 175 C Tc =80 C 88 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 97 A Tj = 175 C SKM75GB12T4 Tc =80 C 73 A
skm75gb12v.pdf
SKM75GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 114 A Tj = 175 C Tc =80 C 87 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 97 A Tj = 175 C SKM75GB12V Tc =80 C 73 A IFnom 75 A
Другие IGBT... SKM50GDL063DL , SKM50GH063DL , SKM75GAL063D , SKM75GAL123D , BRG60N65D , SKM75GB063D , SKM75GB123D , SKM75GB124D , GT30F133 , SKM75GD123D , SKM75GD124D , SKM75GDL123D , SM2G100US120 , SM2G100US60 , SM2G150US120 , SM2G150US60 , SM2G200US120 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771