SMBH1G100US60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SMBH1G100US60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
   Тип корпуса: 7PM-AA
     - подбор IGBT транзистора по параметрам