SMBL1G100US60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SMBL1G100US60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
   Тип корпуса: 7PM-AA

 Аналог (замена) для SMBL1G100US60

 

 

SMBL1G100US60 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... SMBH1G200US60 , SMBH1G300US60 , SMBH1G400US60 , SMBH1G50US120 , SMBH1G50US60 , SMBH1G75US120 , SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , HGTG30N60A4 , SMBL1G150US120 , SMBL1G150US60 , SMBL1G200US120 , SMBL1G200US60 , SMBL1G300US60 , SMBL1G400US60 , SMBL1G50US120 , SMBL1G50US60 .