SMBL1G150US60 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SMBL1G150US60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
Тип корпуса: 7PM-BB
Аналог (замена) для SMBL1G150US60
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SMBL1G150US60 даташит
No data!
Другие IGBT... SMBH1G400US60 , SMBH1G50US120 , SMBH1G50US60 , SMBH1G75US120 , SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 , SMBL1G150US120 , KGF75N65KDF , SMBL1G200US120 , SMBL1G200US60 , SMBL1G300US60 , SMBL1G400US60 , SMBL1G50US120 , SMBL1G50US60 , SMBL1G75US120 , SMBL1G75US60 .
History: SKM300GAL123D | SKM300GAR063D | SKM300GAR123D | 6MBI75U2A-060 | SKM300GAL063D | SKM400GA062D | SMBL1G100US60
History: SKM300GAL123D | SKM300GAR063D | SKM300GAR123D | 6MBI75U2A-060 | SKM300GAL063D | SKM400GA062D | SMBL1G100US60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550