SMBL1G200US120 - аналоги и описание IGBT

 

SMBL1G200US120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SMBL1G200US120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS

Тип корпуса: 7PM-EA

 Аналог (замена) для SMBL1G200US120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SMBL1G200US120 даташит

No data!

Другие IGBT... SMBH1G50US120 , SMBH1G50US60 , SMBH1G75US120 , SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 , SMBL1G150US120 , SMBL1G150US60 , IRGB20B60PD1 , SMBL1G200US60 , SMBL1G300US60 , SMBL1G400US60 , SMBL1G50US120 , SMBL1G50US60 , SMBL1G75US120 , SMBL1G75US60 , SMC7G10US120 .

History: SKM300GAL123D | SKM300GAR123D | SKM300GAL063D | SKM400GA062D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.