SME6G10US60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SME6G10US60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS

Тип корпуса: 17PM-BA

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SME6G10US60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SME6G10US60 даташит

No data!

Другие IGBT... SMC7G15US60, SMC7G20US120, SMC7G20US60, SMC7G25US120, SMC7G30US60, SMC7G50US60, SMC7G5US120, SME6G10US120, RJP30H2A, SME6G15US120, SME6G15US60, SME6G20US120, SME6G20US60, SME6G25US120, SME6G30US60, SME6G50US60, SME6G5US120