SME6G25US120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SME6G25US120  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS

Тип корпуса: 17PM-CA

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SME6G25US120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SME6G25US120 даташит

No data!

Другие IGBT... SMC7G50US60, SMC7G5US120, SME6G10US120, SME6G10US60, SME6G15US120, SME6G15US60, SME6G20US120, SME6G20US60, RJP30E2DPP-M0, SME6G30US60, SME6G50US60, SME6G5US120, SNG201017, SNG201025, SNG20620A, SNG301010, SNG30610