SME6G50US60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SME6G50US60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Тип корпуса: 17PM-CA

 Аналог (замена) для SME6G50US60

 

 

SME6G50US60 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... SME6G10US120 , SME6G10US60 , SME6G15US120 , SME6G15US60 , SME6G20US120 , SME6G20US60 , SME6G25US120 , SME6G30US60 , RJP63F3DPP-M0 , SME6G5US120 , SNG201017 , SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 .