SNG201025 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SNG201025
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 500 nS
   Тип корпуса: TO254

 Аналог (замена) для SNG201025

 

 

SNG201025 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... SME6G15US60 , SME6G20US120 , SME6G20US60 , SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 , SME6G5US120 , SNG201017 , FGH60N60SFD , SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L , STGB10NB37LZ .