SNG40660 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SNG40660  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 700 nS

Тип корпуса: TO258

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SNG40660

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SNG40660 даташит

No data!

Другие IGBT... SME6G5US120, SNG201017, SNG201025, SNG20620A, SNG301010, SNG30610, SNG30610A, SNG401225, IKW75N60T, STGB10N60L, STGB10NB37LZ, STGB20NB32LZ, STGB20NB37LZ, STGB30NB60H, STGB3NB60HD, STGB7NB60HD, STGD3NB60S