STGB10NB37LZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGB10NB37LZ  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 16 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 520 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1700pF pF

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для STGB10NB37LZ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGB10NB37LZ даташит

 ..1. Size:747K  st
 stgb10nb37lz stgp10nb37lz.pdf pdf_icon

STGB10NB37LZ

STGB10NB37LZ STGP10NB37LZ 10 A - 410 V internally clamped IGBT Features Low threshold voltage Low on-voltage drop TAB TAB Low gate charge High current capability 3 High voltage clamping feature 3 1 2 1 TO-220 D PAK Applications Automotive ignition Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off

 ..2. Size:747K  st
 stgb10nb37lz.pdf pdf_icon

STGB10NB37LZ

STGB10NB37LZ STGP10NB37LZ 10 A - 410 V internally clamped IGBT Features Low threshold voltage Low on-voltage drop TAB TAB Low gate charge High current capability 3 High voltage clamping feature 3 1 2 1 TO-220 D PAK Applications Automotive ignition Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off

 6.1. Size:350K  st
 stgb10nb40lz.pdf pdf_icon

STGB10NB37LZ

STGB10NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB10NB40LZ CLAMPED

 6.2. Size:604K  st
 stgb10nb60s.pdf pdf_icon

STGB10NB37LZ

STGB10NB60S STGP10NB60S 16 A, 600 V, low drop IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB TAB Applications 3 Light dimmer 3 1 2 1 Static relays TO-220 D2PAK Motor drive Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process featuring extremely low on-state voltage Figure 1. Internal schematic diagram drop in low-fr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SNG201025, SNG20620A, SNG301010, SNG30610, SNG30610A, SNG401225, SNG40660, STGB10N60L, SGT40N60FD2PN, STGB20NB32LZ, STGB20NB37LZ, STGB30NB60H, STGB3NB60HD, STGB7NB60HD, STGD3NB60S, STGD7NB60H, STGP10N60L