STGB10NB37LZ - аналоги и описание IGBT

 

STGB10NB37LZ - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: STGB10NB37LZ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 16 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 520 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1700pF pF
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STGB10NB37LZ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры STGB10NB37LZ

 ..1. Size:747K  st
stgb10nb37lz stgp10nb37lz.pdfpdf_icon

STGB10NB37LZ

STGB10NB37LZ STGP10NB37LZ 10 A - 410 V internally clamped IGBT Features Low threshold voltage Low on-voltage drop TAB TAB Low gate charge High current capability 3 High voltage clamping feature 3 1 2 1 TO-220 D PAK Applications Automotive ignition Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off

 ..2. Size:747K  st
stgb10nb37lz.pdfpdf_icon

STGB10NB37LZ

STGB10NB37LZ STGP10NB37LZ 10 A - 410 V internally clamped IGBT Features Low threshold voltage Low on-voltage drop TAB TAB Low gate charge High current capability 3 High voltage clamping feature 3 1 2 1 TO-220 D PAK Applications Automotive ignition Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off

 6.1. Size:350K  st
stgb10nb40lz.pdfpdf_icon

STGB10NB37LZ

STGB10NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB10NB40LZ CLAMPED

 6.2. Size:604K  st
stgb10nb60s.pdfpdf_icon

STGB10NB37LZ

STGB10NB60S STGP10NB60S 16 A, 600 V, low drop IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB TAB Applications 3 Light dimmer 3 1 2 1 Static relays TO-220 D2PAK Motor drive Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process featuring extremely low on-state voltage Figure 1. Internal schematic diagram drop in low-fr

Другие IGBT... SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L , G50T65D , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , STGB7NB60HD , STGD3NB60S , STGD7NB60H , STGP10N60L .

 

 
Back to Top

 


 
.