STGB10NB37LZ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: STGB10NB37LZ

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.3

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 16

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 520

Емкость коллектора (Cc), pf: 1700pF

Корпус: D2PAK

Аналог (замена) для STGB10NB37LZ

STGB10NB37LZ Datasheet (PDF)

1.1. stgb10nb37lz.pdf Size:747K _st

STGB10NB37LZ STGP10NB37LZ 10 A - 410 V internally clamped IGBT Features ■ Low threshold voltage ■ Low on-voltage drop TAB TAB ■ Low gate charge ■ High current capability 3 ■ High voltage clamping feature 3 1 2 1 TO-220 D²PAK Applications ■ Automotive ignition Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off

1.2. stgb10nb37lz stgp10nb37lz.pdf Size:749K _st

STGB10NB37LZ STGP10NB37LZ 10 A - 410 V internally clamped IGBT Features ■ Low threshold voltage ■ Low on-voltage drop TAB TAB ■ Low gate charge ■ High current capability 3 ■ High voltage clamping feature 3 1 2 1 TO-220 D²PAK Applications ■ Automotive ignition Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off

 2.1. stgp10nb60s stgp10nb60sfp stgb10nb60s.pdf Size:433K _st

STGP10NB60S STGP10NB60SFP- STGB10NB60S N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D²PAK PowerMESH™ IGBT Table 1: General Features Figure 1: Package TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25°C @100°C STGP10NB60S 600 V < 1.7 V 10 A STGP10NB60SFP 600 V < 1.7 V 10 A STGB10NB60S 600 V < 1.7 V 10 A 3 3 2 2 1 1 HIGHT INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE TO-220FP TO-220 DRIVEN) VERY LOW ON-VOLTAGE DROP(

2.2. stgb10nb40lz.pdf Size:350K _st

STGB10NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D²PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB10NB40LZ CLAMPED < 1.8 V 20 A POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN LOW THRESHOLD VOLTAGE LOW ON-VOLTAGE DROP 3 1 LOW GATE CHARGE D2PAK HIGH CURRENT CAPABILITY HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a INTERNAL SCHEMATIC D

 2.3. stgb10nb60s.pdf Size:604K _st

STGB10NB60S STGP10NB60S 16 A, 600 V, low drop IGBT Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ High current capability TAB TAB Applications 3 ■ Light dimmer 3 1 2 1 ■ Static relays TO-220 D2PAK ■ Motor drive Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process featuring extremely low on-state voltage Figure 1. Internal schematic diagram drop in low-fr

Другие IGBT... SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L , FGPF4536 , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , STGB7NB60HD , STGD3NB60S , STGD7NB60H , STGP10N60L .