FGA180N33ATD - аналоги и описание IGBT

 

FGA180N33ATD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FGA180N33ATD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 305 pF

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для FGA180N33ATD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGA180N33ATD даташит

 ..1. Size:757K  fairchild semi
 fga180n33atd.pdf pdf_icon

FGA180N33ATD

April 2008 FGA180N33ATD tm 330V, 180A PDP Trench IGBT Features General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.03V @ IC = 40A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance RoHS

 3.1. Size:681K  onsemi
 fga180n33at.pdf pdf_icon

FGA180N33ATD

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... TA49117 , TA49119 , TA49121 , TA49123 , TA49182 , TA9895 , FGA15N120ANTDTU-F109 , FGA15N120FTD , TGPF30N43P , FGA20N120FTD , FGA20S120M , FGA25N120ANTD , FGA25N120ANTDTU-F109 , FGA25N120FTD , FGA30N120FTD , FGA30N60LSD , FGA50N100BNT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.