Справочник IGBT. FGA25N120ANTD

 

FGA25N120ANTD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGA25N120ANTD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 200 nC
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для FGA25N120ANTD

 

 

FGA25N120ANTD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:653K  fairchild semi
 fga25n120antdtu f109.pdf

FGA25N120ANTD FGA25N120ANTD

uJuly, 2007FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109tm1200V NPT Trench IGBTFeatures Description NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 2.0V and switching performances, high avalanche ruggedness and @ IC

 0.2. Size:1382K  onsemi
 fga25n120antdtu.pdf

FGA25N120ANTD FGA25N120ANTD

FGA25N120ANTDTU1200 V, 25 A NPT Trench IGBTFeatures Description NPT Trench Technology, Positive Temperature CoefficientUsing ON Semiconductor's proprietary trench design and Low Saturation Voltage: VCE(sat), typ = 2.0 V advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers @ IC = 25 A and TC = 25C superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness an

 5.1. Size:687K  fairchild semi
 fga25n120ftd.pdf

FGA25N120ANTD FGA25N120ANTD

February 2009FGA25N120FTDtm1200V, 25A Trench IGBTFeatures Field stop trench technologyGeneral Description High speed switchingUsing advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200V Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 25Atrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedancemances, and easy parallel operation wit

Другие IGBT... TA49123 , TA49182 , TA9895 , FGA15N120ANTDTU-F109 , FGA15N120FTD , FGA180N33ATD , FGA20N120FTD , FGA20S120M , IRG4PC50U , FGA25N120ANTDTU-F109 , FGA25N120FTD , FGA30N120FTD , FGA30N60LSD , FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD .

 

 
Back to Top