Справочник IGBT. FGA25N120FTD

 

FGA25N120FTD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGA25N120FTD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 96 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 160 nC
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для FGA25N120FTD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGA25N120FTD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  fairchild semi
 fga25n120ftd.pdf pdf_icon

FGA25N120FTD

February 2009FGA25N120FTDtm1200V, 25A Trench IGBTFeatures Field stop trench technologyGeneral Description High speed switchingUsing advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200V Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 25Atrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedancemances, and easy parallel operation wit

 5.1. Size:653K  fairchild semi
 fga25n120antdtu f109.pdf pdf_icon

FGA25N120FTD

uJuly, 2007FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109tm1200V NPT Trench IGBTFeatures Description NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 2.0V and switching performances, high avalanche ruggedness and @ IC

 5.2. Size:1382K  onsemi
 fga25n120antdtu.pdf pdf_icon

FGA25N120FTD

FGA25N120ANTDTU1200 V, 25 A NPT Trench IGBTFeatures Description NPT Trench Technology, Positive Temperature CoefficientUsing ON Semiconductor's proprietary trench design and Low Saturation Voltage: VCE(sat), typ = 2.0 V advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers @ IC = 25 A and TC = 25C superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness an

 9.1. Size:627K  onsemi
 fga25s125p.pdf pdf_icon

FGA25N120FTD

FGA25S125P1250 V, 25 A Shorted-anode IGBTFeatures General Description High Speed SwitchingUsing advanced field stop trench and shorted-anode technol- Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 25 Aogy, ON Semiconductor's shorted-anode trench IGBTs offer High Input Impedancesuperior con-duction and switching performances forsoft switching applications. The devi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TA9895 , FGA15N120ANTDTU-F109 , FGA15N120FTD , FGA180N33ATD , FGA20N120FTD , FGA20S120M , FGA25N120ANTD , FGA25N120ANTDTU-F109 , FGH75T65UPD , FGA30N120FTD , FGA30N60LSD , FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD , FGA90N33ATD , FGAF40N60UF .

 

 
Back to Top

 


 
.