Справочник IGBT. FGA25N120FTD

 

FGA25N120FTD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGA25N120FTD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 96 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 160 nC
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для FGA25N120FTD

 

 

FGA25N120FTD Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TA9895 , FGA15N120ANTDTU-F109 , FGA15N120FTD , FGA180N33ATD , FGA20N120FTD , FGA20S120M , FGA25N120ANTD , FGA25N120ANTDTU-F109 , MGD623S , FGA30N120FTD , FGA30N60LSD , FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD , FGA90N33ATD , FGAF40N60UF .