FGB20N60SF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FGB20N60SF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 65 nC

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FGB20N60SF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGB20N60SF даташит

 ..1. Size:643K  fairchild semi
 fgb20n60sf.pdf pdf_icon

FGB20N60SF

March 2015 FGB20N60SF 600 V, 20 A Field Stop IGBT Features General Description High Current Capability Using novel field stop IGBT technology, Fairchild s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, Low Saturation Voltage VCE(sat) =2.2 V @ IC = 20 A welder and PFC applications where low conduction and switch- High Input Impedance ing losses

 0.1. Size:473K  fairchild semi
 fgb20n60sfd.pdf pdf_icon

FGB20N60SF

March 2015 FGB20N60SFD 600 V, 20 A Field Stop IGBT Features Applications High Current Capability Solar Inverter, UPS, Welder, PFC Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 20 A General Description High Input Impedance Fast Switching EOFF = 8 uJ/A Using novel field stop IGBT technology, Fairchild s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar i

 0.2. Size:758K  onsemi
 fgb20n60sfd-f085.pdf pdf_icon

FGB20N60SF

FGB20N60SFD-F085 600V, 20A Field Stop IGBT General Description Features Using novel field-stop IGBT t echnology, ON Semiconductor s High current capability new series of field-stop IGBTs offers the optimum Low saturation voltage VCE(sat) = 2.2V @ IC = 20A performance for automotive chargers, inverters, and other applications where low conduction and switching losses are

Другие IGBT... FGA30N60LSD, FGA50N100BNT, FGA50N100BNTD, FGA50N100BNTD2, FGA60N60UFD, FGA90N33ATD, FGAF40N60UF, FGAF40N60UFD, TGPF30N43P, FGB20N60SFD, FGD3N60LSD, FGD4536, FGH20N60SFD, FGH20N60UFD, FGH25N120FTDS, FGH30N120FTD, FGH30N60LSD