Справочник IGBT. FGB20N60SFD

 

FGB20N60SFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGB20N60SFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 208
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 16
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 110
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 65
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для FGB20N60SFD

 

 

FGB20N60SFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  fairchild semi
 fgb20n60sfd.pdf

FGB20N60SFD FGB20N60SFD

March 2015FGB20N60SFD600 V, 20 A Field Stop IGBTFeatures Applications High Current Capability Solar Inverter, UPS, Welder, PFC Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 20 AGeneral Description High Input Impedance Fast Switching : EOFF = 8 uJ/AUsing novel field stop IGBT technology, Fairchilds field stopIGBTs offer the optimum performance for solar i

 0.1. Size:758K  onsemi
 fgb20n60sfd-f085.pdf

FGB20N60SFD FGB20N60SFD

FGB20N60SFD-F085 600V, 20A Field Stop IGBTGeneral DescriptionFeatures Using novel field-stop IGBT t echnology, ON Semiconductors High current capabilitynew series of field-stop IGBTs offers the optimum Low saturation voltage: VCE(sat) = 2.2V @ IC = 20Aperformance for automotive chargers, inverters, and other applications where low conduction and switching losses are

 4.1. Size:643K  fairchild semi
 fgb20n60sf.pdf

FGB20N60SFD FGB20N60SFD

March 2015FGB20N60SF600 V, 20 A Field Stop IGBTFeatures General Description High Current Capability Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, Low Saturation Voltage: VCE(sat) =2.2 V @ IC = 20 Awelder and PFC applications where low conduction and switch- High Input Impedanceing losses

Другие IGBT... FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD , FGA90N33ATD , FGAF40N60UF , FGAF40N60UFD , FGB20N60SF , GT40QR21 , FGD3N60LSD , FGD4536 , FGH20N60SFD , FGH20N60UFD , FGH25N120FTDS , FGH30N120FTD , FGH30N60LSD , FGH40N60SF .

 

 
Back to Top