Справочник IGBT. FGB20N60SFD

 

FGB20N60SFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGB20N60SFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 65 nC
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для FGB20N60SFD

 

 

FGB20N60SFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  fairchild semi
fgb20n60sfd.pdf

FGB20N60SFD
FGB20N60SFD

March 2015FGB20N60SFD600 V, 20 A Field Stop IGBTFeatures Applications High Current Capability Solar Inverter, UPS, Welder, PFC Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 20 AGeneral Description High Input Impedance Fast Switching : EOFF = 8 uJ/AUsing novel field stop IGBT technology, Fairchilds field stopIGBTs offer the optimum performance for solar i

 0.1. Size:758K  onsemi
fgb20n60sfd-f085.pdf

FGB20N60SFD
FGB20N60SFD

FGB20N60SFD-F085 600V, 20A Field Stop IGBTGeneral DescriptionFeatures Using novel field-stop IGBT t echnology, ON Semiconductors High current capabilitynew series of field-stop IGBTs offers the optimum Low saturation voltage: VCE(sat) = 2.2V @ IC = 20Aperformance for automotive chargers, inverters, and other applications where low conduction and switching losses are

 4.1. Size:643K  fairchild semi
fgb20n60sf.pdf

FGB20N60SFD
FGB20N60SFD

March 2015FGB20N60SF600 V, 20 A Field Stop IGBTFeatures General Description High Current Capability Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, Low Saturation Voltage: VCE(sat) =2.2 V @ IC = 20 Awelder and PFC applications where low conduction and switch- High Input Impedanceing losses

Другие IGBT... FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD , FGA90N33ATD , FGAF40N60UF , FGAF40N60UFD , FGB20N60SF , IRG7S313U , FGD3N60LSD , FGD4536 , FGH20N60SFD , FGH20N60UFD , FGH25N120FTDS , FGH30N120FTD , FGH30N60LSD , FGH40N60SF .

 

 
Back to Top