NGP15N41CL - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги NGP15N41CL. Основные параметры


   Наименование: NGP15N41CL
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 440 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4000 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для NGP15N41CL

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGP15N41CL даташит

 ..1. Size:167K  onsemi
 ngd15n41cl ngb15n41cl ngp15n41cl.pdf pdf_icon

NGP15N41CL

NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL Preferred Device Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts http //onsemi.com N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 15 AMPS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped 410 VOLTS protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses VCE(on) 3 2.1 V @ include I

Другие IGBT... NGB8206N , NGB8207AN , NGB8207N , NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , GT30G124 , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB .

History: OST120N65H4SMF | SRE80N065FSU2DB | OST120N65HEMF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.