IXBH9N160G - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXBH9N160G
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXBH9N160G
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXBH9N160G даташит
ixbh9n160g.pdf
IXBH 9N160G High Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 A Monolithic Bipolar VCES = 1600 V MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. tfi = 70 ns N-Channel, Enhancement Mode C TO-247 AD MOSFET compatible G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features High Voltage BIMOSFETTM VCES TJ = 25 C to 150 C 1600 V - replaces hig
ixbh9n140 ixbh9n160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160
ixbh9n140-160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160
Другие IGBT... IXBH28N170A, IXBH2N250, IXBH32N300, IXBH40N160, IXBH42N170, IXBH42N170A, IXBH5N160G, IXBH6N170, STGW60V60DF, IXBK55N300, IXBK64N250, IXBK75N170, IXBK75N170A, IXBL64N250, IXBN42N170A, IXBN75N170, IXBN75N170A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p



