Справочник IGBT. IXBH9N160G

 

IXBH9N160G - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBH9N160G
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 34(min) nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXBH9N160G

 

 

IXBH9N160G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  ixys
 ixbh9n160g.pdf

IXBH9N160G IXBH9N160G

IXBH 9N160GHigh Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 AMonolithic Bipolar VCES = 1600 VMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.tfi = 70 nsN-Channel, Enhancement ModeCTO-247 ADMOSFET compatibleGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features High Voltage BIMOSFETTMVCES TJ = 25C to 150C 1600 V- replaces hig

 5.1. Size:62K  1
 ixbh9n140 ixbh9n160.pdf

IXBH9N160G IXBH9N160G

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 AMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features9N140 9N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 1400 160

 7.1. Size:55K  ixys
 ixbh9n140-160.pdf

IXBH9N160G IXBH9N160G

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 AMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features9N140 9N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 1400 160

Другие IGBT... IXBH28N170A , IXBH2N250 , IXBH32N300 , IXBH40N160 , IXBH42N170 , IXBH42N170A , IXBH5N160G , IXBH6N170 , TGPF30N40P , IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IXBL64N250 , IXBN42N170A , IXBN75N170 , IXBN75N170A .

 

 
Back to Top