IXBT16N170 - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги IXBT16N170. Основные параметры


   Наименование: IXBT16N170
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 101 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 85 pF
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXBT16N170

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBT16N170 даташит

 ..1. Size:174K  ixys
 ixbt16n170.pdf pdf_icon

IXBT16N170

High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBH16N170 BIMOSFETTM Monolithic IXBT16N170 IC90 = 16A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.3V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 40 A TO-268 (IXBT

 0.1. Size:51K  ixys
 ixbh16n170a ixbt16n170a.pdf pdf_icon

IXBT16N170

Advanced Technical Information High Voltage, High Gain IXBH 16N170A VCES = 1700 V BIMOSFETTM Monolithic IXBT 16N170A IC25 = 16 A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) = 6.0 V tfi(typ) = 50 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1700 V G E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C1

 0.2. Size:50K  ixys
 ixbt16n170a.pdf pdf_icon

IXBT16N170

Advanced Technical Information High Voltage, High Gain IXBH 16N170A VCES = 1700 V BIMOSFETTM Monolithic IXBT 16N170A IC25 = 16 A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) = 6.0 V tfi(typ) = 50 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1700 V G E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C1

 0.3. Size:169K  ixys
 ixbt16n170ahv.pdf pdf_icon

IXBT16N170

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBA16N170AHV BIMOSFETTM Monolithic IXBT16N170AHV IC25 = 16A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 6.0V TO-263HV (IXBA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V TO-268HV (IXBT) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXBL64N250 , IXBN42N170A , IXBN75N170 , IXBN75N170A , IXBP5N160G , IXBR42N170 , IXBT10N170 , IXBT12N300 , TGAN40N60FD , IXBT16N170A , IXBT20N300 , IXBT24N170 , IXBT28N170A , IXBT2N250 , IXBT32N300 , IXBT42N170 , IXBT42N170A .

 

 
Back to Top

 


 
.