IXBT2N250 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBT2N250

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.15 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 8.7 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXBT2N250

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBT2N250 даташит

 ..1. Size:180K  ixys
 ixbt2n250.pdf pdf_icon

IXBT2N250

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 2500V IXBH2N250 BIMOSFETTM IXBT2N250 IC110 = 2A VCE(sat) 3.50V Monolithic Bipolar MOS Transistor TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V G C (TAB) C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V IC

 9.1. Size:174K  ixys
 ixbt20n300.pdf pdf_icon

IXBT2N250

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBH20N300 BIMOSFETTM Monolithic IXBT20N300 IC110 = 20A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V

 9.2. Size:198K  ixys
 ixbt20n300hv.pdf pdf_icon

IXBT2N250

Advance Technical Information High Voltage, High Gain IXBT20N300HV VCES = 3000V BIMOSFETTM Monolithic IC110 = 20A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V TO-268 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V E VGES Continuous 20 V C (Tab) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 50 A G

 9.3. Size:288K  ixys
 ixbt20n360hv.pdf pdf_icon

IXBT2N250

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3600V IXBT20N360HV BIMOSFETTM Monolithic IXBH20N360HV IC110 = 20A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.4V TO-268HV (IXBT) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V E C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V VGES Continuous 20 V TO-247HV (IXBH) VGEM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXBR42N170, IXBT10N170, IXBT12N300, IXBT16N170, IXBT16N170A, IXBT20N300, IXBT24N170, IXBT28N170A, IRGP4062D, IXBT32N300, IXBT42N170, IXBT42N170A, IXBT6N170, IXBX25N250, IXBX55N300, IXBX64N250, IXBX75N170